MMBT5401LT1G MMBT5401 Serie MMBT 150 V 100 mA SMT Transistor PNP in Silicio

Personalizzazione: Disponibile
Tipo conduttivo: Circuito Integrato Unipolare
Integrazione: ULSI

Products Details

Informazioni di Base.

Model No.
MMBT5401LT1G
Tecnica
Thin Film IC
med.
acceso
d/c
17+
pacchetto
sot-23
qualità
originale nuovo
forma
smd
Pacchetto di Trasporto
scatola
Origine
Repubblica Popolare Cinese
Codice SA
8542390000
Capacità di Produzione
1000000pz

Descrizione del Prodotto

Descrizione

MMBT5401LT1G: GRP TRASMISSIONE BJT PNP 150V 0,5A 3 PIN SOT-23 T/R.

Confezione: SOT-23

MFR. Codice: MMBT5401LT1G

MFR.: ACCESO
Scheda tecnica:  MMBT5401LT1G MMBT5401 MMBT Series 150 V 100 mA SMT PNP Silicon Transistor(E-mail o chat per file PDF)

Stato ROHS:  MMBT5401LT1G MMBT5401 MMBT Series 150 V 100 mA SMT PNP Silicon Transistor

Qualità: 100% originale

Garanzia: 180 giorni
 

Il transistor bipolare PNP ad alta tensione è progettato per applicazioni di commutazione per impieghi generali. Il dispositivo è alloggiato nel contenitore SOT-23, progettato per applicazioni a montaggio superficiale a potenza ridotta.

Caratteristiche principali

  • Questi dispositivi sono privi di PbFree, senza alogeni/senza BFR e sono conformi alla direttiva RoHS
 
Tipo di transistor PNP
Corrente - collettore (IC) (max) 500 ma
Tensione - guasto emettitore collettore (max) 150 V.
Saturazione VCE (Max) @ Ib, IC 500 mV @ 5 ma, 50 ma
Corrente - interruzione collettore (max) 50 na (ICBO)
Guadagno corrente CC (hFE) (min) @ IC, VCE 60 @ 10 ma, 5 V.
Potenza - Max 300 mW
Frequenza - transizione 300 MHz
Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / contenitore TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)

Linea di prodotti aziendali


MMBT5401LT1G MMBT5401 MMBT Series 150 V 100 mA SMT PNP Silicon Transistor







 


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Certificati

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Dettagli imballaggio prodotto

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