Transistor Bipolare a Porta Isolata IGBT G15n120d to-247

Personalizzazione: Disponibile
Applicazione: saldatrice a inverter, ups
Numero di lotto: 2022

Products Details

Informazioni di Base.

Model No.
G15N120D
Tecnologia di produzione
Dispositivo discreto
Materiale
silicio
Modello
g15n120d
Pacchetto
to-247
Tipo
Semiconduttore di tipo N
tensione
1200V
valuta
15A
marchio
wxdh
Pacchetto di Trasporto
tubo
Marchio
wxdh
Origine
Wuxi, China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
500000000 pezzi/anno

Descrizione del Prodotto

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n120d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n120d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n120d to-247Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n120d to-247
PARAMETRO SIMBOLO VALUTAZIONE UNITÀ
 
Tensione collettore-emettitore VCES 1200 V
Tensione gate-emettitore VGES ±20 V
Corrente di collettore IC(T=25ºC) 30 R
Corrente di collettore   (TC=100ºC) 15 R
Corrente di collettore a impulsi ICM 45 R
Corrente continua in avanti del diodo SE  @TC = 100 °C. 15 R
Corrente massima in avanti del diodo IFM 45 R
Dissipazione totale TC=25ºC PD 160 W
TC=100ºC PD 65 W
Temperatura di giunzione TJ 150 ºC
Temperatura di conservazione Tstg -55~150 ºC
 
Caratteristiche
Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tip. = 2,0 V.
@ IC =15A E VGE=15V
FRD integrato
Applicazioni
Apparecchiature di riscaldamento elettromagnetico (IH) come il fornello a induzione.
 
Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio
Modello del prodotto Tipo di pacchetto Nome contrassegno RoHS Pacchetto Quantità
G15N120D TO-247 G15N120D Senza piombo Tubo 300/confezione
 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G15n120d to-247

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