Descrizione

MJD50T4G  :  TRANS GP BJT NPN 400V 1A 3 PIN(2+TAB) DPAK T/R.

MFR. Codice: MJD50T4G

MFR.: ACCESO

Scheda tecnica:  (E-mail o chat per file PDF)

Stato ROHS:  

Qualità: 100% originale

Garanzia: UN ANNO
 

 

Attributo prodotto	Valore attributo	Ricerca simile
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS:	Dettagli
Tipo di montaggio:	SMD/SMT
Confezione/confezione:	TO-252-3
Polarità del transistor:	NPN
Configurazione:	Singolo
Tensione collettore-emettitore VCEO max:	400 V.
Tensione di base collettore VCBO:	500 V.
Emettitore - tensione base VEBO:	5 V.
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1 V.
Corrente massima collettore CC:	1 A.
PD - dissipazione di potenza:	15 W
Guadagno larghezza di banda prodotto FT:	10 MHz
Temperatura di esercizio minima:	- 65 C.
Temperatura di esercizio massima:	+ 150 C
Serie:	MJD50
Confezione:	Aspo
Confezione:	Tagliare il nastro
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Corrente collettore continua:	1 A.
Guadagno base/collettore CC hfe min:	30
Altezza:	2.38 mm
Lunghezza:	6.73 mm
Tipo di prodotto:	BJTs - transistor bipolari
Confezione originale quantità:	2500
Sottocategoria:	Transistor
Tecnologia:	Si
Larghezza:	6.22 mm
Peso unitario:	0.012381 once

 

Transistor di potenza ad alta tensione

DPAK per applicazioni a montaggio superficiale
Progettato per amplificatore di uscita audio con funzionamento di linea, driver di alimentazione switching e altre applicazioni di commutazione
 

Caratteristiche
• con conduttore sagomato per applicazioni a montaggio superficiale in manicotti in plastica (Senza suffisso)
• elettricamente simile ai comuni TIP47 e TIP50
• epossidico conforme a UL 94 V−0 @ 0.125 poll
• prefisso NJV per applicazioni automobilistiche e di altro tipo che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo esclusivi; certificazione AEC−Q101 e funzionalità PPAP
• questi dispositivi sono privi di Pb−e sono conformi alla direttiva RoHS

 

 

 

 

Perché scegliere noi

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