Descrizione
Il MOSFET di potenza è fabbricato utilizzando la tecnologia avanzata VDMOS della fresatrice. Il dispositivo risultante ha una bassa resistenza di conduzione, prestazioni di commutazione superiori ed elevata energia di valanga.

Caratteristiche
RDS basso(ON)
Carica gate bassa (tip. QG = 18.9 NC)
100% UIS testato
Conforme a RoHS

Applicazioni
Correzione del fattore di potenza.
Alimentatori switching.
Driver LED.

1. Che servizio avete?

Siamo fornitori di diodi, raddrizzatori a ponte e diodi raddrizzatori per autoveicoli. E mosfet, potremmo fornire prezzi competitivi e consegna rapida e di buona qualità con un servizio tempestivo, abbiamo il nostro team R&D e ingegnere per garantire il miglior servizio ai clienti.  
 
2. Posso avere alcuni campioni da analizzare?

Offriamo campioni gratuiti per i nostri clienti e devono pagare solo il trasporto dei campioni.

3. E la consegna ?

Di solito il tempo di consegna è di circa 1-4  settimane dopo la ricezione del pagamento. Per i ricambi normali , abbiamo la quantità in magazzino.  

4. Cosa ne sono dei termini di pagamento ?

Questo può essere discusso in base alla situazione effettiva dell'ordine.  
 
5. E le condizioni di spedizione ?

FOB shenzhen via mare; lavoriamo anche con DHL, FEDEX, TNT e così via per grandi quantità, spetta ai clienti scegliere il spedizioniere, il nostro possiamo offrire il servizio per assistere i clienti   

6. Avete bisogno di quantità minima per l'ordine?

In base ai diversi prodotti, per il primo ordine di prova da testare, possiamo offrire la quantità in base alla richiesta dei clienti,  per ordini ripetuti, MOQ è basato sulla quantità minima di imballaggio.