(Componente Elettronici) Transistor NPN in Silicio ad Alta Tensione Mmbt5551lt1g

Personalizzazione: Disponibile
Tipo conduttivo: Circuito Integrato Unipolare
capacità di fornitura: 1000000 pezzi/pezzi al mese

Products Details

Informazioni di Base.

Model No.
MMBT5551LT1G
quantità minima di imballaggio
2500 pz
peso lordo minimo di imballaggio
0.62 kg
paese dell′originale
cina
anno di produzione
2021
forma
immersione
Pacchetto di Trasporto
scatola di cartone
Specifiche
22x17
Marchio
edt
Origine
Zhejiang
Codice SA
8529905000
Capacità di Produzione
1000000

Descrizione del Prodotto

Panoramica
Dettagli rapidi
Numero modello:       BZX84C3V9
Tipo:                circuito integrato

Luogo di origine:       Guangdong, Cina

Nome del marchio:         NSGD

Applicazioni:         Applicazioni industriali
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura 1000000 pezzi/pezzi al mese

 
Imballaggio e consegna
Tempo di consegna:
Quantità (pezzi) 1  -  1000 >1000
Est. Tempo (giorni) 7 Da negoziare
(Electronic Components) High Voltage NPN Silicon Transistors Mmbt5551lt1g






(Electronic Components) High Voltage NPN Silicon Transistors Mmbt5551lt1g
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