BC857C TRANSISTOR PNP 100mA 65V Transistor Bipolare Singolo

Personalizzazione: Disponibile
Tipo conduttivo: Circuito Integrato Bipolare
Integrazione: MSI

Products Details

Informazioni di Base.

Model No.
BC857C
Temperatura di esercizio
-55℃ - 125℃
Forma
hqfp64
Tecnica
Circuito integrato a semiconduttore
d/c
22+
pacchetto
sot23
qualità
originale nuovo
tempo di consegna
disponibile
Pacchetto di Trasporto
scatola
Origine
Repubblica Popolare Cinese
Codice SA
8542399000
Capacità di Produzione
1000000pz

Descrizione del Prodotto

Descrizione

BC857C:  TRANSISTOR BIPOLARI - BJT BC857C/SOT23/TO-236AB

MFR. Codice: BC857C

 

Scheda tecnica:  BC857C TRANSISTOR PNP 100mA 65V Single Bipolar Transistor(E-mail o chat per file PDF)

Stato ROHS:  BC857C TRANSISTOR PNP 100mA 65V Single Bipolar Transistor

Qualità: 100% originale

Garanzia: UN ANNO
 

 

Tipo di montaggio: SMD/SMT
Confezione/confezione: SC-70-3
Polarità del transistor: PNP
Configurazione: Singolo
Tensione collettore-emettitore VCEO max: 45 V.
Tensione di base collettore VCBO: 50 V.
Emettitore - tensione base VEBO: 5 V.
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 250 mV
Corrente massima collettore CC: 100 ma
PD - dissipazione di potenza: 200 mW
Guadagno larghezza di banda prodotto FT: 100 MHz
Temperatura di esercizio minima: - 65 C.
Temperatura di esercizio massima: + 150 C
Qualifica: AEC-Q101
Confezione: Aspo
Confezione: Tagliare il nastro
Confezione: Aspo
Corrente collettore continua: - 100 ma
Guadagno base/collettore CC hfe min: 420
Guadagno corrente CC hFE max: 420 a 2 ma, 5 V.
Altezza: 1 mm
Lunghezza: 2.2 mm
Tipo di prodotto: BJTs - transistor bipolari
Confezione originale quantità: 3000
Sottocategoria: Transistor
Tecnologia: Si
Larghezza: 1.35 mm
Alias N. parte: 934021860115
Peso unitario: 0.000988 once














BC857C TRANSISTOR PNP 100mA 65V Single Bipolar Transistor


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