Informazioni di Base.
Model No.
DGD06F65M2
Tecnologia di produzione
Dispositivo discreto
Materiale
silicio
Modello
dgd06f65m2
Pacchetto
to-252b
Tipo
Semiconduttore di tipo N
tensione
650V
corrente
6A
marchio
wxdh
Pacchetto di Trasporto
tubo
Marchio
wxdh
Origine
Wuxi, China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
500000000 pezzi/anno
Descrizione del Prodotto
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONE | UNITÀ | ||
| Tensione collettore-emettitore | VCES | 650 | V | ||
| Tensione gate-emettitore | VGES | ±30 | V | ||
| Corrente di collettore | IC(T=25ºC) | 12 | R | ||
| Corrente di collettore | (TC=100ºC) | 6 | R | ||
| Corrente di collettore a impulsi | ICM | 35 | R | ||
| Corrente continua in avanti del diodo | SE @TC = 100 °C. | 6 | R | ||
| Corrente a impulsi del diodo | IFM | 35 | R | ||
| Dissipazione totale | TC=25ºC | Ptot | 69 | W | |
| TC=100ºC | Ptot | 28 | W | ||
| Temperatura di giunzione | TJ | -55~150 | ºC | ||
| Temperatura di conservazione | Tstg | -55~150 | ºC | ||
| Caratteristiche |
| Tecnologia FS Trench, temperatura positiva coefficiente |
| Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tip. = 1,85 V. @ IC =60A e Tj = 25°C. |
| Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tip. = 1,73 V. @ IC =6A e Tj = 25°C. |
| Applicazioni |
| Saldatura |
| Inverter a tre livelli |
| UPS |
| Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio | |||||
| Modello del prodotto | Tipo di pacchetto | Nome contrassegno | RoHS | Pacchetto | Quantità |
| DGD06F65M2 | TO-252B | DGD06F65M2 | Senza piombo | ASPO | 5000/confezione |
